НОВОСТИ СТИ НИТУ "МИСИС"

С 13 по 16 ноября 2018 г. в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН и в Санкт-Петербургском Академическом университете РАН, в рамках празднования 100-летия ФТИ им. А.Ф. Иоффе, прошел 6-й Симпозиум с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология».

Симпозиум посвящен обсуждению актуальных проблем получения, исследования и применения различных типов полупроводниковых лазеров. Целью симпозиума является определение приоритетных научных и инженерных направлений развития данной области, а также создание связей между заинтересованными научными, инженерными коллективами и представителями бизнеса.

Старооскольский технологический институт имени А.А. Угарова представляла к.ф.-м.н., доцент кафедры АИСУ Михайлюк Екатерина Андреевна с докладом «Исследование электрофизических характеристик твердых растворов InAlAs на подложке InP». По итогам работы на секции «Исследование полупроводниковых лазерных структур» доклад Михайлюк Е.А. рекомендован к публикации в ведущем рецензируемом журнале из перечня ВАК «Квантовая электроника».